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　　大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业富士康漂亮女生一般分到哪里，富士康女生一般分到哪个岗位、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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