大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂)经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂　　有券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

未经允许不得转载：旺华配资网_2020年最专业的大型配资平台_股票配资公司 需要和须要意思的区别简单理解，必须与必需的区别通俗易懂