大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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