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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(z中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高ài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lón中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高g)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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