大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公警察扫黄为什么很少去大酒店，警察会去星级酒店扫黄吗司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　警察扫黄为什么很少去大酒店，警察会去星级酒店扫黄吗分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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