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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng反函数的性质是什么意思，反函数得性质)圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(s反函数的性质是什么意思，反函数得性质hàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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