大家好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)上海为什么被称为魔都？传说......，上海为什么被称为魔都四大魔都分别为哪四个龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到上海为什么被称为魔都？传说......，上海为什么被称为魔都四大魔都分别为哪四个(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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