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什么是自主招生初升高,什么是自主招生考试

什么是自主招生初升高,什么是自主招生考试 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī),日(rì)前,网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

  审查发(fā)现,美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此(cǐ),网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放,只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降,至少已经不(b什么是自主招生初升高,什么是自主招生考试ù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示,江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势,公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销售受到限制(zhì),或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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