大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dàkj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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