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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安(乡字用五笔怎么打出来，乡字五笔怎么打法ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(乡字用五笔怎么打出来，乡字五笔怎么打法bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加乡字用五笔怎么打出来，乡字五笔怎么打法入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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