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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华小黄人名字分别叫什么销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，<小黄人名字分别叫什么strong>我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi小黄人名字分别叫什么)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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