大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存俄罗斯乌克兰什么时候结束战争储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(b俄罗斯乌克兰什么时候结束战争ǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与俄罗斯乌克兰什么时候结束战争三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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