大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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