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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全2022中国挖了乌克兰多少人才，中国从乌克兰引进了多少人才的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　2022中国挖了乌克兰多少人才，中国从乌克兰引进了多少人才="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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