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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络修正丰胸乳霜有效果吗，国家认可的丰胸品牌排行榜安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析修正丰胸乳霜有效果吗，国家认可的丰胸品牌排行榜，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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