大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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