大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 谋女郎都有谁 谋女郎是褒义还是贬义f0000; line-height: 24px;'>谋女郎都有谁 谋女郎是褒义还是贬义NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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