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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公敬请届时光临是什么意思，万望届时光临是什么意思司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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