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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年昆明市属于几线城市，云南最好三个城市，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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