大家好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营(邵阳学院是几本大学yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平邵阳学院是几本大学台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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