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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash中国的国粹有哪些 （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō中国的国粹有哪些)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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