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pp7塑料杯能不能装开水 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一(yī)则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信(xìn)办消息(xī),日(rì)前,网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全,是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放,只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场。pp7塑料杯能不能装开水p>

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国家(jiā)安全(quán),依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》,对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(Micron)在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì),江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司(sī)在(zài)下游pp7塑料杯能不能装开水市场的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士(shì),国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速,看好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司(sī)份额提升,以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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