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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光机要邮寄档案怎么查询进度，机要邮寄档案怎么查询信息公司在(zài)华(huá)销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)机要邮寄档案怎么查询进度，机要邮寄档案怎么查询信息网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK机要邮寄档案怎么查询进度，机要邮寄档案怎么查询信息海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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