大(dà)家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户省属国企和央企有什么区别 所有央企都是国企吗转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的省属国企和央企有什么区别 所有央企都是国企吗加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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