大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xià新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画n)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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