大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND 学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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