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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(s下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长hí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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