大(dà)家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，一个学期一般有多少周 一个学期一般有几个月g>我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(j一个学期一般有多少周 一个学期一般有几个月īng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)一个学期一般有多少周 一个学期一般有几个月1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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