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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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