大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网为什么911不撞白宫，911未撞上白宫的飞机络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全为什么911不撞白宫，911未撞上白宫的飞机(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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