大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(ch已婚男人睡完你后的心态，已婚男的得到你一次之后éng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D已婚男人睡完你后的心态，已婚男的得到你一次之后 NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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