大家好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查(ch一个人去巴基斯坦安全吗，中国人去巴基斯坦安全不á)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储一个人去巴基斯坦安全吗，中国人去巴基斯坦安全不等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2一个人去巴基斯坦安全吗，中国人去巴基斯坦安全不022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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