大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法(f事与愿违下一句是什么 事与愿违是什么意思ǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要事与愿违下一句是什么 事与愿违是什么意思(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供(gōn事与愿违下一句是什么 事与愿违是什么意思g)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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