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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供(g每天男生会拉我到没人的位置，对象一到没人的地方就抱我ōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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