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毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

  据网信办消息,日前(qián),网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规(guī),我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全,是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú),欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信网发文称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn),维(wéi)毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法护国家安(ān)全(quán),依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī),2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采(cǎi)购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析,如果美光在(zài)中国区销售受到限制,或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入(毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法rù)美国限制名单,设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜(mó)沉(chén)积(jī))等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提升,以及存储毁掉一个女人最好的办法名声,毁掉一个渣女最好的方法业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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