大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS M世界上性功能最强的国家是哪个国家世界上性功能最强的国家是哪个国家n>arkit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波世界上性功能最强的国家是哪个国家龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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