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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(l鞋子235码数是多少，鞋子235是什么码？óng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，鞋子235码数是多少，鞋子235是什么码？国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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